GaN tabanlı programlanabilir mmWave MMIC’lerde hBN memristif RF anahtarların BEOL entegrasyonu anlatılıyor. Raporlanan değerler: 0,3 dB ek kayıp ve 15 dB+ izolasyon.
GaN tabanlı programlanabilir mmWave MMIC’lerde hBN memristif RF anahtarların BEOL entegrasyonu anlatılıyor. Raporlanan değerler: 0,3 dB ek kayıp ve 15 dB+ izolasyon.